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kaiyun官方体育登录入口官方正版 该期刊是Wiley出版社旗下在能源材料领域的顶尖期刊,以其前瞻性与高影响力著称。

图1. Ru@SnO₂催化剂的合成策略与多尺度结构表征。(a) 本工作提出的熔盐辅助合成Ru@SnO2示意图,该方法实现了Ru团簇在SnO2晶格中的部分嵌入与限域。(b) Ru@SnO2、实验室自制的SnO2载体及Ru样品的X射线衍射图谱对比。(c) Ru@SnO2的透射电子显微镜图像和 (d) 高分辨透射电子显微镜图像,展示了其纳米棒形貌与清晰的晶格条纹。(e-g) Ru@SnO2的原子分辨率高角度环形暗场扫描透射电子显微镜图像,直观揭示了Ru团簇在SnO2晶格中的嵌入状态(水母状构型)。(h) Ru@SnO2的HAADF-STEM图像及相应的Sn、O、Ru元素分布图,证实了Ru在载体上的均匀分布。

图2. Ru@SnO₂的电子结构与配位环境深度解析。(a) Ru@SnO2与参考材料的O 1s X射线光电子能谱,用于分析氧物种与氧空位浓度。(b) 电子顺磁共振谱,进一步证实Ru@SnO2中具有更丰富的氧空位。(c) Sn 3d 和 (d) Ru 3p XPS谱图,显示了Sn位点电子密度增加与Ru向载体发生电子转移。(e) Sn K边与 (f) Ru K边X射线吸收近边结构谱,揭示了金属与载体间的电荷重新分布。(g) Sn K边与 (h) Ru K边扩展X射线吸收精细结构谱的傅里叶变换幅度,用于解析局域配位结构。(i) Ru@SnO2在Ru K边的R空间EXAFS拟合结果。小波变换EXAFS等高线图:(j) Ru@SnO2, (k) Ru箔, (l) SnO2,用于区分不同键合的背散射信号。

图3. Ru@SnO2在碱性介质中的析氢反应性能评估。(a) Ru@SnO2、实验室自制的SnO2与Ru、商业Ru/C及Pt/C催化剂的HER极化曲线。(b) 从极化曲线推导出的相应塔菲尔斜率图。(c) 通过塔菲尔曲线外推法得到的交换电流密度。(d) 将Ru@SnO2在10 mA cm⁻²电流密度下的过电位和塔菲尔斜率,与近期报道的优秀Ru基HER催化剂进行性能对比。(e) 通过循环伏安法测得的双电层电容,用于评估电化学活性面积。(f) 基于贵金属质量计算的质量活性及 (g) 在100 mV过电位下估算的转换频率,用于评估本征活性。(h) 在10 mA cm-2恒定电流密度下的计时电位法长期稳定性测试。

图4. Ru@SnO2的肼氧化反应性能及其在节能制氢系统中的应用。(a) Ru@SnO2在不同N2H4浓度电解液中的HzOR极化曲线,用于确定最佳反应条件。(b) 在1.0 M KOH + 0.5 M N2H4电解液中,Ru@SnO2与各参考催化剂的线性扫描伏安曲线对比。(c) 从LSV曲线推导出的相应HzOR塔菲尔斜率。(d) Ru@SnO2在10 mA cm-2下的工作电位和塔菲尔斜率与已报道HzOR催化剂的性能对比图。(e) 在0.2 V (相对于可逆氢电极) 下的质量活性和 (f) TOF值,展示了其卓越的贵金属利用率和本征活性。(g) 以Ru@SnO2同时作为阳极和阴极的双电极系统LSV曲线:HzOR辅助水分解与传统的OER辅助水分解性能对比。(h) 在50 mA cm-2电流密度下的长期HzAWS稳定性测试。(i) 基于Ru@SnO2催化剂构建的无膜电解槽系统示意图。(j) Ru@SnO2在MFE系统 (1.0 M KOH + 0.5 M N2H4) 中的全电池极化曲线,展现了其在高电流密度下的低能耗优势。

图5. 基于DFT计算的电子结构调控与氢吸附行为机理研究。(a) Ru-in-SnO2 (晶格嵌入) 和 (b) Ru-SnO2 (表面负载) 模型的差分电荷密度等值面 (黄色代表电子积累,青色代表电子耗尽),直观展示了界面处的电荷转移。(c) 计算的从Ru到SnO2载体的电荷转移量及 (d) Ru在载体上的吸附能,证明了嵌入结构具有更强的界面相互作用与稳定性。(e) 在Ru(001)、Ru-in-SnO2和Ru-SnO2表面计算的氢吸附自由能,晶格限域效应优化了ΔG*H,使其更接近于零。(f) Ru-in-SnO2和 (g) Ru-SnO2中Ru 4d轨道的投影态密度,限域结构引起d带中心下移,削弱了氢吸附。(h) Ru-in-SnO2和 (i) Ru-SnO2中Ru–H键的晶体轨道哈密顿布居数曲线,负的ICOHP值更小,证实了限域结构中Ru–H键的弱化。

图6. 基于DFT计算的水解离与肼氧化反应机理深入剖析。(a) 在Ru(001)、Ru-in-SnO2和Ru-SnO2表面计算的水解离能垒 (IS: 初始态;TS: 过渡态;FS: 终态),限域结构显著降低了水分解的能垒。(b) Ru-in-SnO2的原子结构模型和 (c) 其计算的功函数。(d) Ru-SnO2的原子结构模型和 (e) 其计算的功函数。两者差异表明限域结构在界面诱导出更强的内置电场。(f) 在Ru(001)、Ru-in-SnO2和SnO2表面的HzOR自由能图,限域结构有效降低了决速步(*N2H4去氢化)的能垒。(g) 计算的N2H4在不同表面的吸附能。插图:N2H4吸附构型的差分电荷密度等值面,揭示了Ru-in-SnO2表面独特的端对双齿吸附模式是其高活性的关键。

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